Manufacturer | Packaging | Series | ProductStatus | FETType | Technology | DraintoSourceVoltage(Vdss) | Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | RdsOn(Max)@IdVgs | Vgs(th)(Max)@Id | GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | Vgs(Max) | InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | FETFeature | PowerDissipation(Max) | OperatingTemperature | MountingType |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Часть # | Производитель | Акции | Даташи | Упаковка / ящик | Описание | Количество |
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ISC240P06LMATMA1 |
Infineon Technologies | 3939 | - | TRENCH 40<-<100V |
Немедленный |
|
![]() |
BSC093N15NS5SCATMA1 |
Infineon Technologies | 2692 | - | TRENCH >=100V |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R260M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 3641 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA1 |
Infineon Technologies | 2131 | - | TRENCH 40<-<100V |
Немедленный |
|
![]() |
AIMBG120R080M1XTMA1 |
Infineon Technologies | 3731 | - | SIC_DISCRETE |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R072M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 2260 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R030M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 2109 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R083M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 3766 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R022M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 2504 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IPTG063N15NM5ATMA1 |
Infineon Technologies | 3220 | - | TRENCH >=100V |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R048M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 2590 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R107M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 3288 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R057M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 2670 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IPTG039N15NM5ATMA1 |
Infineon Technologies | 3485 | - | TRENCH >=100V |
Немедленный |
|
![]() |
IPTG054N15NM5ATMA1 |
Infineon Technologies | 3414 | - | TRENCH >=100V |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R039M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 2616 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |
|
![]() |
IPP017N06NF2SAKMA1 |
Infineon Technologies | 2839 | - | TRENCH 40<-<100V |
Немедленный |
|
![]() |
IPP013N06NF2SAKMA1 |
Infineon Technologies | 2346 | - | TRENCH 40<-<100V |
Немедленный |
|
![]() |
IPTG044N15NM5ATMA1 |
Infineon Technologies | 3214 | - | TRENCH >=100V |
Немедленный |
|
![]() |
IMT65R163M1HXUMA1 |
Infineon Technologies | 3032 | - | SILICON CARBIDE MOSFET |
Немедленный |